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A20B-3900-0042 Fanuc Module DRAM 4MB/2MB 4M/2M
À partir de 180,00 € 150,00 €
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Carte mémoire FANUC de type DRAM Module référence FANUC A20B-3900-0042 à vendre pour commande numérique
Fanuc 16i 18i, 20i et Fanuc 21i Modèle A. Module mémoire de type DIMM FANUC de
capacité 4 MB enfichable sur la carte CPU de vos commandes numériques séries i FANUC
(modèles compatibles) se situant au dos de votre écran LCD Fanuc sur votre pupitre de commande FANUC. En achetant sur CNC-shopping.com, ce module mémoire DRAM A20B-3900-0042 est vendu
accompagné d'une garantie de fonctionnement.
REMARQUE: Avant de commencer l'opération de remplacement de votre module DRAM A20B-3900-0042 ou autre module installé sur la carte mère de la CNC, effectuer une copie de sauvegarde des contenus (paramètres, programmes, etc...) de la mémoire SRAM sur la CNC. La copie de sauvegarde peut être utilisée au cas ou les contenus de la mémoire SRAM seraient perdus pendant le remplacement.
La mémoire dynamique (DRAM, Dynamic RAM) utilise la capacité parasite drain/substrat d'un transistor à effet de champ. Elle ne conserve les informations écrites que pendant quelques millisecondes : le contrôleur mémoire est obligé de relire régulièrement chaque cellule puis y réécrire l'information stockée afin d'en garantir la fiabilité, cette opération récurrente porte naturellement le nom de « rafraîchissement ». Malgré ces contraintes de rafraîchissement, ce type de mémoire est très utilisée car elle est bien meilleur marché que la mémoire statique. En effet, la cellule mémoire élémentaire de la DRAM est très simple (un transistor accompagné de son nano-condensateur) et ne nécessite que peu de silicium. A20B-3900-0042
REMARQUE: Avant de commencer l'opération de remplacement de votre module DRAM A20B-3900-0042 ou autre module installé sur la carte mère de la CNC, effectuer une copie de sauvegarde des contenus (paramètres, programmes, etc...) de la mémoire SRAM sur la CNC. La copie de sauvegarde peut être utilisée au cas ou les contenus de la mémoire SRAM seraient perdus pendant le remplacement.
La mémoire dynamique (DRAM, Dynamic RAM) utilise la capacité parasite drain/substrat d'un transistor à effet de champ. Elle ne conserve les informations écrites que pendant quelques millisecondes : le contrôleur mémoire est obligé de relire régulièrement chaque cellule puis y réécrire l'information stockée afin d'en garantir la fiabilité, cette opération récurrente porte naturellement le nom de « rafraîchissement ». Malgré ces contraintes de rafraîchissement, ce type de mémoire est très utilisée car elle est bien meilleur marché que la mémoire statique. En effet, la cellule mémoire élémentaire de la DRAM est très simple (un transistor accompagné de son nano-condensateur) et ne nécessite que peu de silicium. A20B-3900-0042
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