FZ1800R12 F4-S1 FUJI IGBT Module

Module transistor de puissance FUJI FZ1800R12 F4-S1 neuf à vendre pour bloc d'alimentation FANUC Alpha, Servo variateurs FANUC et variateur de broche FANUC / GE FANUC nécessitant ce type de composant de puissance FUJI ELECRTRIC. Module de puissance également identifié sous la référence de son fabricant japonais FUJI ELECTRIC FZ1800R12 F4-S1. Tous les modules transistors FZ1800R12 F4-S1 vendus sur notre site sont neufs et testés.

Détails du module IGBT FUJI ELECTRIC FZ1800R12 F4-S1 

La faiblesse de l’IGBT (comparé au MOSFET) résulte essentiellement dans sa vitesse de commutation, notamment lors du passage de l’état passant à l’état bloqué : les « trous » présents dans la « zone d’épitaxie N- » (Drift zone) doivent se recombiner ou être évacués lorsque la tension de la grille passe en dessous du seuil de commutation. La technologie PT possède une zone tampon (buffer) à proximité de la zone de drift pour accélérer l’absorption des trous. Les transistors IGBT-PT seront donc plus rapides, mais auront une tension V_CEsat plus élevée.